IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это наполовину управляемый полупроводниковый прибор комбинации структуры двух приборов MOSFET и биполярного транзистора. IGBT-транзисторы широко используются в силовой электронике и являются ключевым компонентом в высоковольтных преобразователях частоты для регулирования оборотов асинхронного электродвигателя изменением частоты напряжения питания.

Применение IGBT-транзисторов (ключей, модулей) в высоковольтных преобразователях частоты имеет ряд преимуществ:

1. Высокая скорость переключения: IGBT-транзисторы могут быстро переключаться между включенным и выключенным состояниями, что позволяет контролировать частоту напряжения питания с высокой точностью и быстродействием.
2. Высокая эффективность энергопередачи: из-за низкого сопротивления и небольшого падения напряжения во включенном состоянии, потери мощности в IGBT-транзисторах невелики. Это обеспечивает высокую эффективность работы преобразователя частоты.
3. Высокая надежность: IGBT-транзисторы имеют низкую тепловую нагрузку и обладают высокой термической стабильностью, что делает их более надежными для применения в высоковольтных устройствах.
4. Возможность работы в большом диапазоне напряжений: современные IGBT-транзисторы могут обрабатывать высоковольтные напряжения до 6 кВ и выше. Это делает их идеальными для применения в высоковольтных преобразователях частоты.
5. Управление с минимальным током утечки: между затвором и истоком IGBT-транзисторов расположен полупроводниковый слой-диэлектрик, который уменьшает ток утечки и обеспечивает высокую степень изоляции между управляющими и силовыми цепями.

Резюмируя, IGBT-транзисторы обеспечивают высокую эффективность и надежность при использовании в высоковольтных преобразователях частоты. Они позволяют управлять работой асинхронных двигателей с высоким быстродействием и точностью, что важно для повышения эффективности промышленных процессов и экономии энергии.